CyberGlossary

Schwachstellen

Rowhammer

Auch bekannt als: Row-Hammer-Angriff

Definition

Hardware-Schwachstelle in DRAM, bei der wiederholte Aktivierung einer Speicherreihe Bit-Flips in physisch benachbarten Reihen verursacht und so die Speicherintegrität untergräbt.

Rowhammer nutzt aus, dass dichte DRAM-Zellen ihre Ladung schneller verlieren, als sie aufgefrischt werden, wenn benachbarte Reihen aggressiv aktiviert werden. „Hämmert" ein Angreifer eine Reihe hunderttausende Male pro Refresh-Zyklus, kann er gezielte Bits in benachbarten Reihen umkippen, in die er keinerlei Schreibrechte besitzt – alle Software-Berechtigungsprüfungen werden umgangen. Demonstrationen erfolgten gegen Page Tables, aus JavaScript in Browsern, auf Mobilgeräten und FPGAs; Rowhammer wurde für Privilegieneskalation und Sandbox-Ausbruch weaponized. Mitigationen: ECC-Speicher, Target Row Refresh (TRR), Pseudo-TRR, ECC plus verdoppelte Refresh-Rate und OS-seitige Isolation. Neuere DDR5-Module implementieren aggressivere On-Die-Refreshs, doch Forschung findet weiter Varianten wie RowPress.

Beispiele

  • Project-Zero-Exploit (2015), der Bits in PTEs flippt, um Kernel-Rechte zu erlangen.
  • Drammer (2016) – Rowhammer-basierter Root-Exploit unter Android.

Verwandte Begriffe